灰塵是小尺寸器件集成電路生產(chǎn)的天敵。在開(kāi)發(fā)集成電路的過(guò)程中，已經(jīng)開(kāi)發(fā)了有效的方法來(lái)消除生產(chǎn)環(huán)境中的灰塵。

如有尺寸與電路結(jié)構(gòu)元件相當(dāng)?shù)幕覊m顆粒（臨界尺寸，CD）或更大的灰塵顆粒意外進(jìn)入設(shè)備中，會(huì)引發(fā)很多問(wèn)題。22nm 的硅結(jié)構(gòu)只包括 41 個(gè) Si 原子。根據(jù)這一標(biāo)準(zhǔn)，不僅顆粒構(gòu)成了挑戰(zhàn)，甚至分子造成的污染也成為越來(lái)越大的挑戰(zhàn)。這些污染被稱為空氣分子污染 (AMC)。從開(kāi)放式盒子到封閉式 FOUP 的轉(zhuǎn)變大大降低了顆粒的污染，但同時(shí)也增加了 AMC 影響。

        晶圓表面上的來(lái)自環(huán)境空氣、從周?chē)砻驷尫诺幕騺?lái)自之上一道工藝步驟的分子可以與大氣中的氣體反應(yīng)，形成微小的反應(yīng)產(chǎn)物群，這在晶圓等待下一道工藝步驟的等待時(shí)間內(nèi)有增加的趨勢(shì)。分子污染的核心通常是半導(dǎo)體制造中所使用的很多化合物。國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖 (ITRS) 已經(jīng)確立了會(huì)引起晶圓缺陷的 AMC 名單 [36]。該名單包括無(wú)機(jī)和有機(jī)酸、堿、硫化合物和揮發(fā)性有機(jī)化合物。

       在 FOUP 內(nèi)部環(huán)境中，AMC 有兩個(gè)主要來(lái)源。最主要來(lái)源是每個(gè)工藝步驟后存儲(chǔ)在 FOUP 中的晶圓。最后一道工序中的副產(chǎn)物從其表面釋放并可以被 FOUP 的高分子材料吸收或重新吸附在其他晶圓表面上。第二來(lái)源是 FOUP 的出氣，出氣來(lái)源于聚合物主體或其他晶圓和/或其他工藝先前吸附的副產(chǎn)物。由于聚合物具有吸附氣體的高能力，所以 FOUP 具有其已攜帶晶圓的“記憶”。與這些 AMC 來(lái)源相比，良好控制的潔凈室內(nèi)的空氣污染可以忽略不計(jì)。